DOLAR 34,5298 0.1%
EURO 36,1700 -0.18%
ALTIN 2.980,950,65
BITCOIN 34053563,13%
İstanbul
11°

AÇIK

02:00

İMSAK'A KALAN SÜRE

Infineon fabrikası Malezya’da SiC çip üretimini iki katına çıkarıyor.

Infineon fabrikası Malezya’da SiC çip üretimini iki katına çıkarıyor.

ABONE OL
Ağustos 13, 2024 14:50
Infineon fabrikası Malezya’da SiC çip üretimini iki katına çıkarıyor.
0

BEĞENDİM

ABONE OL

Almanya’nın en büyük yarıiletken üreticisi, Asya’da Avrupa ya da ABD’den daha büyük bir varlığa sahip.

Almanya’nın Infineon Technologies şirketi, dünyanın en büyük ve en rekabetçi 200 mm silikon karbür (SiC) güç yarıiletken üretim tesislerinden biri olması beklenen yeni tesisinin ilk aşamasında Malezya’nın Kulim bölgesinde üretime başladı.

Kulim 3 olarak adlandırılan yeni tesis, 2006 yılında açılan Kulim 1 ve 2016 yılında açılan Kulim 2’ye ek olarak, Infineon’un Malezya’daki yarıiletken üretimine uzun vadeli bağlılığını güçlendiren bir adımdır. SiC güç cihazları, daha verimli elektrikli araçların üretiminde kilit bir rol oynamaktadır.

Fabrikanın bulunduğu Kedah eyaletinin baş bakanı Anwar İbrahim ve Jochen Hanebeck ile birlikte açılış törenine katıldığı resmi tören 8 Ağustos’ta gerçekleşti.

Hanebeck “Silikon karbür gibi yenilikçi teknolojiye dayanan yeni nesil güç yarıiletkenleri, dekarbonizasyon ve iklim korumasına ulaşmak için mutlak bir gerekliliktir. Teknolojimiz elektrikli araçlar, güneş ve rüzgar enerjisi sistemleri ve yapay zeka veri merkezleri gibi yaygın uygulamaların enerji verimliliğini artırır” dedi

Ayrıca “Kulim’e yapılan yatırım müşterilerimiz için oldukça çekicidir, müşterilerimiz bu yatırımı ön ödemeleri ile destekliyor” dedi.

Infineon, otomotiv, endüstri ve yenilenebilir enerji sektörlerinde yaklaşık beş milyar avro (5,46 milyar dolar) tasarım kazancı rapor etti ve Kulim 3’ün çıktısı için yeni ve mevcut müşterilerden yaklaşık bir milyar avroya varan ön ödemeler aldı.

Bu durum, şirketin Kulim 3’e yapacağı yaklaşık iki milyar avro olan aşama 1 yatırımını ve aşama 2 için beş milyar avro civarında olması beklenen yatırımını kısmen karşılamaya yardımcı olacaktır.

Aşama 1, SiC güç yarıiletkenlere odaklanacak ancak bir kısmı gallium nitrat (GaN) epitaksi (silikon dilimine bir GaN tabakası büyütme) için kapasitesini kullanacaktır.

En az 10 karakter gerekli


HIZLI YORUM YAP

Veri politikasındaki amaçlarla sınırlı ve mevzuata uygun şekilde çerez konumlandırmaktayız. Detaylar için veri politikamızı inceleyebilirsiniz.